کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8044240 | 1518917 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative analysis of graphene grown on copper and nickel sheet by microwave plasma chemical vapor deposition
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل تطبیقی گرافن رشد شده بر روی ورق مس و نیکل توسط رسوب بخار شیمیایی پلاسما مایکروویو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
گرافن، ساختار الکترونی، پلاسمای مایکروویو، رسوبات بخار شیمیایی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
Microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) is expected to prepare graphene film at a low temperature and a short growth time. So the same and different process conditions were designed to deposit graphene on Cu and Ni sheets. Despite the atom arrangement of Cu (111) and Ni (111) corresponding to graphene, the different films were obtained at the same process due to the difference in electron configuration of 3d shell of two elements. Carbon atoms penetrated into Ni sheet and segregated to form graphene while graphene film was grown on Cu surface directly. The different growth mechanism resulted in different preparation conditions on substrates where graphene grown on copper sheet preferred mild conditions. It is high energy and large density of microwave plasma that leads to dense surface of substrate and strong etching on graphene film, which is different from chemical vapor deposition (CVD) process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 153, July 2018, Pages 48-52
Journal: Vacuum - Volume 153, July 2018, Pages 48-52
نویسندگان
Xiao Zhao, Li Gou,