کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8145131 | 1524068 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Barium silicate modified strontium bismuth tantalate ferroelectric thin films
ترجمه فارسی عنوان
باریم سیلیکات اصلاح شده استونتیوم بیسموت تانتالات فویل نازک فیبر نوری
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
چکیده انگلیسی
Novel strontium bismuth tantalate (Sr0.8Bi2.2Ta2O9 (SBT)) modified with 3 and 5 mol% ratio barium silicate (Ba2SiO4) thin films were grown on Pt(100â¯nm)/Ti(50â¯nm)/SiO2/Si(100) substrates by spin coating technique. The influence of barium silicate doping in SBT was studied from the view point of changing dielectric and ferroelectric properties like dielectric constant (εr) and remnant polarization (Pr). Well crystallized thin films showed convenient ferroelectric properties with comparatively lower Pr in the range between 1.52 and 0.44 µC/cm2 and smaller εr value of 163. Thus, with such reduced values of Pr and εr barium silicate modified SBT offers a useful potential to be used in Ferroelectric Field Effect Transistor (FeFET) type (1T-type) Ferroelectric Random Access Memories (FeRAMs) upon improving insulation properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 56, Issue 1, February 2018, Pages 40-45
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 56, Issue 1, February 2018, Pages 40-45
نویسندگان
Mehmet S. Bozgeyik,