کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8160260 | 1525104 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron states and electron Raman scattering in an asymmetrical double quantum well: External electric field
ترجمه فارسی عنوان
حالت الکترونی و پراکندگی رامان الکترون در یک چاه کوانتومی دوطرفه نامتقارن: میدان الکتریکی خارجی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
حالت الکترونی، پراکندگی رامان، خوب کوانتوم،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
In this paper studies an electron Raman scattering process for a semiconductor, coupled and asymmetrical double quantum well. Then, the presence of an electron in a single conduction band is considered. In addition, the system is subjected to an external electric field. To carry out this study, the net Raman gain and the differential cross section are calculated. The emission spectra are interpreted and discussed. For this, we obtain the exact solutions of the electron states considering the envelope function approximation and a single parabolic conduction band, which is split into a sub-bands system due to confinement. Furthermore, the effect of the electric field on the electron states and in the differential cross section is studied. To illustrate our findings, we have considered a system growing in a GaAs/AlxGa1âxAs matrix.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 545, 15 September 2018, Pages 215-221
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 545, 15 September 2018, Pages 215-221
نویسندگان
L. Ferrer-Galindo, Ri. Betancourt-Riera, Re. Betancourt-Riera, R. Riera,