کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
850047 | 909278 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancing MQW violet InGaN laser diode characteristics with a quaternary AlxInyGa1−x−yN blocking layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The enhancement of the MQW violet InGaN laser diode (LD) characteristics has numerically been observed by using the quaternary AlInGaN as a blocking layer (BL) instead of the conventional ternary AlxGa1−xN BL in the LD. Simulation results showed that most of the LD characteristics can be enhanced by using the quaternary AlxInyGa1−x−yN BL instead of the conventional ternary AlxGa1−xN BL. The lower threshold current, carrier density, threshold gain and internal loss and higher output power, slop efficiency, internal quantum efficiency and deferential quantum efficiency of the LD with the quaternary AlxInyGa1−x−yN BL have been obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 124, Issue 2, January 2013, Pages 184–187
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 124, Issue 2, January 2013, Pages 184–187
نویسندگان
Rafid A. Abdullah, Kamarulazizi Ibrahim,