کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812397 | 1518112 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Short channel effects in polysilicon thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Short channel effects have been investigated in n-channel polysilicon thin film transistors. Transconductance degradation has been observed when reducing the channel length L and this effect has been explained with the presence of a parasitic resistance related to residual implant damage. Threshold voltage slighlty decreases for channel length around L=1 μm and simulations confirm that the roll-off of the threshold voltage is expected for L<1 μm. In the output characteristics a stronger kink effect has been observed at short L which, from a comprehensive analysis of the current components, can be attributed to an enhanced parasitic bipolar transistor action.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 221-226
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 221-226
نویسندگان
G. Fortunato, A. Valletta, P. Gaucci, L. Mariucci, S.D. Brotherton,