کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812883 | 1518122 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of Si nano-pillar array through Ni nano-dot mask using inductively coupled plasma
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We formed Si nano-pillar array using inductively coupled plasma (ICP) etching of Si with Ni nano-dot mask. For the formation of Ni nano-dot mask, Ni was deposited on Si substrate using sputtering. Through rapid thermal annealing (RTA) of Ni layer at 700 °C, Ni nano-dot array was formed on Si substrate. Effects of etching parameters such as rf power, bias voltage and gas composition on the morphologies of Si nano-pillar array were investigated. Optimum etching of Si with Ni nano-dot mask was obtained under the bias voltage of â90 V, power of 1500 W and gas composition of CF4 (70%) and sulfur hexafluoride (SF6; 30%). Si nano-pillar array with a diameter smaller than 50 nm and aspect ratio larger than 10 was formed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 41-44
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 41-44
نویسندگان
Mun Ja Kim, Jin Seung Lee, Seong Kyu Kim, G.Y. Yeom, Ji-Beom Yoo, Chong-Yun Park,