کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812918 | 1518122 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Luminescence of Er-doped amorphous silicon quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The role of the size of amorphous silicon quantum dots in the Er luminescence at 1.54 μm was investigated. As the dot size was increased, the Er luminescence intensity was decreased and the temperature quenching was also fast because of the small band gap resulting in the decrease of electron-hole pair energy. Accordingly, the critical dot size, needed to take advantage of the positive effect on Er luminescence, is considered to be about 2.0 nm, below which a small dot is very effective in the efficient luminescence of Er.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 231-234
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 231-234
نویسندگان
Nae-Man Park, Tae-Youb Kim, Sang Hyeob Kim, Gun Yong Sung, Kwan Sik Cho, Jung H. Shin, Baek-Hyun Kim, Seong-Ju Park, Jung-Kun Lee, Michael Nastasi,