کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812936 | 1518122 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The etching properties of MgO thin films in Cl2/Ar gas chemistry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, the etching characteristics (etch rate, selectivity) of MgO thin films were etched using Cl2/Ar plasma. The maximum etch rate of 85 nm/min for MgO thin films was obtained at Cl2(30%)/Ar(70%) gas mixing ratio. Moreover, the etch rate was measured by varying the etching parameters such as ICP rf power, dc-bias voltage, and chamber pressure. Plasma diagnostics was performed by Langmuir probe (LP) and optical emission spectroscopy (OES).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 313-317
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 313-317
نویسندگان
Sung-Mo Gu, Dong-Pyo Kim, Kyoung-Tae Kim, Chang-Il Kim,