کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9845045 | 1645433 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Excess noise factor of neutron-irradiated silicon avalanche photodiodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A Monte Carlo simulation code has been developed in order to analyse avalanche gain and excess noise factor variation of the well-defined silicon avalanche photodiode (APD) geometry as a function of the neutron fluences up to 2Ã1013Â neutrons/cm2. The results show that the neutron fluence has an influence on the excess noise factor for the same mean avalanche gain for the PbWO4 light.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 552, Issues 1â2, 21 October 2005, Pages 146-151
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 552, Issues 1â2, 21 October 2005, Pages 146-151
نویسندگان
E. Pilicer, F. Kocak, I. Tapan,