کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10406980 | 892819 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of thermo-mechanical effect in bulk-silicon FinFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The thermo-mechanical effect in bulk-silicon FinFETs of the 14Â nm CMOS technology node is studied by means of numerical simulation. The electrical performance of such devices is significantly enhanced by the intentional introduction of mechanical stress during the device processing. The thermo-mechanical effect modifies the mechanical stress distribution in active regions of the transistors when they are heated. This can lead to a modification of the electrical performance. Numerical simulations of this work quantify the thermo-mechanical effect for FinFET devices. Although a significant modification of the mechanical stress is induced by the thermo-mechanical effect, only a modest degradation of the electrical performance is caused.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 42, Part 2, February 2016, Pages 242-246
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 42, Part 2, February 2016, Pages 242-246
نویسندگان
Alex Burenkov, Juergen Lorenz,