کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10728071 | 1037824 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multilayer self-organization of InGaAs quantum wires on GaAs surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Multilayer self-organization of InGaAs quantum wires on GaAs surfaces Multilayer self-organization of InGaAs quantum wires on GaAs surfaces](/preview/png/10728071.png)
چکیده انگلیسی
Molecular-Beam Epitaxy growth of multiple In0.4Ga0.6As layers on GaAs (311)A and GaAs (331)A has been investigated by Atomic Force Microscopy and Photoluminescence. On GaAs (311)A, uniformly distributed In0.4Ga0.6As quantum wires (QWRs) with wider lateral separation were achieved, presenting a significant improvement in comparison with the result on single layer [H. Wen, Z.M. Wang, G.J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1756]. On GaAs (331)A, In0.4Ga0.6As QWRs were revealed to be much straighter than in the previous report on multilayer growth [Z. Gong, Z. Niu, Z. Fang, Nanotechnology 17 (2006) 1140]. These observations are discussed in terms of the strain-field interaction among multilayers, enhancement of surface mobility at high temperature, and surface stability of GaAs (311)A and (331)A surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 375, Issue 2, 1 December 2010, Pages 170-173
Journal: Physics Letters A - Volume 375, Issue 2, 1 December 2010, Pages 170-173
نویسندگان
Zhiming M. Wang, Vasyl P. Kunets, Yanze Z. Xie, Martin Schmidbauer, Vitaliy G. Dorogan, Yuriy I. Mazur, Gregory J. Salamo,