کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10998324 | 1414357 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoresistor based on ZnO nanorods grown on a p-type silicon substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work we discuss a method of preparation of a highly sensitive light detector based on ZnO nanorods. A photoresistor constructed by us is based on a heterojunction between high quality ZnO nanorods and high resistivity p-type Si used as a substrate for nanorods' deposition. ZnO nanorods are grown by a modified version of a microwave assisted hydrothermal method which allows for growth of high quality ZnO nanorods in a few minutes. The obtained photoresistor responds to a wide spectral range of light starting from near infrared (IR) to ultraviolet (UV). Properties of the detector are evaluated. We propose the use of the detector as an optical switch.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Opto-Electronics Review - Volume 25, Issue 1, May 2017, Pages 15-18
Journal: Opto-Electronics Review - Volume 25, Issue 1, May 2017, Pages 15-18
نویسندگان
B.S. Witkowski, R. Pietruszka, S. Gieraltowska, L. Wachnicki, H. Przybylinska, M. Godlewski,