کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
11001694 1010154 2019 13 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of distortions of recorded diffraction patterns on strain analysis by nano-beam electron diffraction
ترجمه فارسی عنوان
تأثیر اعوجاج الگوهای ثبت پراکندگی بر روی تحلیل کرنش با پراش الکترونی نانو
ترجمه چکیده
تصاویری که در میکروسکوپ الکترونی فرستنده به دست آمده است می توانند به دلایلی مانند منعکس کننده های لنزهای سیستم تصویربرداری یا اشتباهات سیستم ضبط تصویر. این نتیجه به اشتباهات اندازه گیری شده از تصاویر تحریف شده منجر می شود. در اینجا ما در اندازه گیری و اصلاح اعوجاج های بیضی شکل از الگوهای پراکندگی گزارش می کنیم. اثر این اصلاح در اندازه گیری سوپرایز شبکه کریستالی مورد بررسی قرار گرفته است. ما نشان می دهیم که اثر اعوجاج ها کوچکتر از دقت اندازه گیری در مواردی است که فشار حاصل از تغییرات دیسک های پراکنده با توجه به موقعیت های آنها در تصاویر دریافت شده در یک منطقه مرجع محدود ناشی از نمونه به دست می آید. این را می توان با این واقعیت توضیح داد که الگوهای پراکندگی به دست آمده در ناحیه مرجع آزاد نمونه ای از نمونه به همان شیوه ای که الگوهای پراکندگی به دست آمده در منطقه تناوب مورد علاقه تحریف شده اند، تحریف می شوند. در مقابل، برای نمونه هایی که دارای منطقه مرجع آزاد بدون کرنش مانند نانوذرات یا ساختارهای نانوذرات نیستند، در حالیکه نسبت های فاصله های هواپیما را در جهت های مختلف ارزیابی می کنیم، اعوجاج ها معمولا ناچیز نیستند. علاوه بر این، دو روش برای شناسایی موقعیت های دیسک پراش مقادیر مقایسه شده است که نشان می دهد که برای نمونه هایی که جهت گیری کریستال در منطقه مورد بررسی تغییر می کند دقیقا تشخیص موقعیت های مختلف دیسک های پراکنده به طور همزمان به جای تعیین هر موقعیت دیسک به طور مستقل است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Images acquired in transmission electron microscopes can be distorted for various reasons such as e.g. aberrations of the lenses of the imaging system or inaccuracies of the image recording system. This results in inaccuracies of measures obtained from the distorted images. Here we report on measurement and correction of elliptical distortions of diffraction patterns. The effect of this correction on the measurement of crystal lattice strain is investigated. We show that the effect of the distortions is smaller than the precision of the measurement in cases where the strain is obtained from shifts of diffracted discs with respect to their positions in images acquired in an unstrained reference area of the sample. This can be explained by the fact that diffraction patterns acquired in the strain free reference area of the sample are distorted in the same manner as the diffraction patterns acquired in the strained region of interest. In contrast, for samples without a strain free reference region such as nanoparticles or nanoporous structures, where we evaluate ratios of lattice plane distances along different directions, the distortions are usually not negligible. Furthermore, two techniques for the detection of diffraction disc positions are compared showing that for samples in which the crystal orientation changes over the investigated area it is more precise to detect the positions of many diffraction discs simultaneously instead of detecting each disc position independently.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 196, January 2019, Pages 74-82
نویسندگان
, , , , , , , , , , ,