کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11008916 | 1840427 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The electron properties of infinite length single-walled silicon nanotubes are studied by density functional theory
ترجمه فارسی عنوان
خواص الکترونی از نانولوله های سیلیکونی تک سیمانی بی نهایت با استفاده از نظریه کاربردی چگالی مورد مطالعه قرار گرفته است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نانولوله های سیلیکون، تئوری کاربردی تراکم، شرایط مرزی دوره ای، فاصله باند، نیمه هادی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
For all the armchair SWSiNTs, the infinite zigzag SiNTs (n,0), (3â¯â¤â¯nâ¯â¤â¯9) and the infinite chiral SWSiNTs (6, 2), (9, 3), (10, 5), (12, 6) are semiconductors with indirect band gaps. While for the infinite zigzag SiNTs (n, 0) 15â¯â¥â¯nâ¯â¥â¯10, and the infinite chiral SWSiNT (12, 4) are semiconductors with direct gaps at X point, the direct gaps open at X point. It is possible that direct band gap will become potential building blocks for electronic and optoelectronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 20-29
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 20-29
نویسندگان
Deng-Hui Liu, Cheng-Peng Yao, Ming Yang, Heng-Jiang Zhu,