کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
11008916 1840427 2018 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The electron properties of infinite length single-walled silicon nanotubes are studied by density functional theory
ترجمه فارسی عنوان
خواص الکترونی از نانولوله های سیلیکونی تک سیمانی بی نهایت با استفاده از نظریه کاربردی چگالی مورد مطالعه قرار گرفته است
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
For all the armchair SWSiNTs, the infinite zigzag SiNTs (n,0), (3 ≤ n ≤ 9) and the infinite chiral SWSiNTs (6, 2), (9, 3), (10, 5), (12, 6) are semiconductors with indirect band gaps. While for the infinite zigzag SiNTs (n, 0) 15 ≥ n ≥ 10, and the infinite chiral SWSiNT (12, 4) are semiconductors with direct gaps at X point, the direct gaps open at X point. It is possible that direct band gap will become potential building blocks for electronic and optoelectronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 20-29
نویسندگان
, , , ,