کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11008941 | 1840427 | 2018 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical model of AlGaN/GaN HEMTs with a partial GaN cap layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, a two-dimensional analytical model of AlGaN/GaN HEMTs with a partial GaN cap layer is developed. Under two assumptions of complete depletion and incomplete depletion, the analytical expressions for the channel potential and electric field distributions are obtained on the basis of Poisson's equation. The dependences of the channel potential and electric field distributions on various thicknesses and lengths of the partial GaN cap layer are demonstrated. The analytical model is verified in comparison with the ISE TCAD simulation. A fair consistency between the analytical and numerical results indicates the validity of the proposed analytical model. This method provides a reference to model other different GaN-based power devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 210-217
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 210-217
نویسندگان
Guo Haijun, Duan Baoxing, Wu Hao, Yang Yintang,