کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11008971 | 1840427 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reply to the “comments on -a theoretical study on the linearity of the Id-T curve of a SiC MESFET for sensor application”
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, a reply to a to a recent article entitled “Comments on A-theoretical study on the linearity of the Id-T curve of a SiC MESFET for sensor application” is given which opines that the functional form of built-in-potential of a metal-semiconductor junction is considered erroneously in the original publication. On the contrary to the comment, this article justifies the original work with suitable logic and supportive references.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 458-459
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 458-459
نویسندگان
Sutanu Dutta,