کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1449448 | 988704 | 2007 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Detection and study of photo-generated spin currents in nonmagnetic semiconductor materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The longitudinal current in Si-doped gallium arsenide was spin-polarized using circularly polarized light. The spin current was detected by the extraordinary Hall effect. An enhancement of Hall conductivity with increasing moderately Si-doping was found, indicating that the introduction of dopants increases the electronic spin polarization. This finding may provide an opportunity for controlling and manipulating nonmagnetic semiconductors via electron spin for operating device applications. Band energy calculations using pseudopotentials confirm the influence of Si content and electron-phonon interaction on the behaviour of the spin current and hence on the spin-dependent Hall voltage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 55, Issue 18, October 2007, Pages 6392-6400
Journal: Acta Materialia - Volume 55, Issue 18, October 2007, Pages 6392-6400
نویسندگان
M. Idrish Miah, I.V. Kityk, E. MacA. Gray,