کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498342 | 1510909 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of blistering process in H-implanted semipolar GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of blistering process in H-implanted semipolar GaN Investigation of blistering process in H-implanted semipolar GaN](/preview/png/1498342.png)
چکیده انگلیسی
We study the blistering process in H-implanted semipolar (112¯2) GaN. Compared with the (0 0 0 1) orientation, the blistering kinetics of (112¯2) GaN revealed lower activation energies of 0.27 and 0.92 eV in the higher- and lower-temperature regimes, respectively. H-induced internal pressure and stress in the surface blisters were found to be dependent on the crystal orientation of GaN. Based on this study, a physical mechanism for the blistering of (112¯2) GaN has been presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 94, 1 January 2015, Pages 21–24
Journal: Scripta Materialia - Volume 94, 1 January 2015, Pages 21–24
نویسندگان
U. Dadwal, D. Buca, S. Mantl, T. Wernicke, R. Singh,