کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498524 | 1510904 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single-step synthesis process of Ti3SiC2 ohmic contacts on 4H-SiC by sputter-deposition of Ti
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report a single-step procedure for growth of ohmic Ti3SiC2 on 4H-SiC by sputter-deposition of Ti at 960 °C, based on the Ti–SiC solid-state reaction during deposition. X-ray diffraction and electron microscopy show the growth of interfacial Ti3SiC2. The as-deposited contacts are ohmic, in contrast to multistep processes with deposition followed by rapid thermal annealing. This procedure also offers the possibility of direct synthesis of oxygen-barrier capping layers before exposure to air, potentially improving contact stability in high-temperature and high-power devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 99, 1 April 2015, Pages 53–56
Journal: Scripta Materialia - Volume 99, 1 April 2015, Pages 53–56
نویسندگان
H. Fashandi, M. Andersson, J. Eriksson, J. Lu, K. Smedfors, C.-M. Zetterling, A. Lloyd Spetz, P. Eklund,