کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1544098 1512879 2015 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel symmetric GaN MESFET by dual extra layers of Si3N4
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A novel symmetric GaN MESFET by dual extra layers of Si3N4
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 70, June 2015, Pages 135-140
نویسندگان
, , ,