| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1544322 | 1512887 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of polarization coulomb field scattering on the subthreshold swing in depletion-mode AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The stronger polarization Coulomb field scattering can improve the subthreshold swing for depletion-mode AlGaN/AlN/GaN HFET devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 62, August 2014, Pages 76-79
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 62, August 2014, Pages 76-79
نویسندگان
Chongbiao Luan, Zhaojun Lin, Yuanjie Lv, Zhihong Feng, Jingtao Zhao, Yang Zhou, Qihao Yang, Ming Yang,