کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545370 | 997591 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transient current through a single germanium quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have experimentally investigated time-dependent charge transportation through a single germanium (Ge) quantum dot (QD), which weakly couples to adjacent semiconductor electrodes via SiO2 tunnel barriers, under a voltage pulse excitation at room temperature. The time-dependent current arises from a tunneling current through the Ge QD's resonant energy levels as well as displacement currents due to the charge accumulation or depletion within the QD. We find that the displacement current dominates in the pulse transition regimes, while the tunneling current dominates as the pulse reaches steady state. The charge absorption and emission processes are experimentally observed and theoretically analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 5, March 2009, Pages 886–889
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 5, March 2009, Pages 886–889
نویسندگان
Wei-Ting Lai, David M.T. Kuo, Pei-Wen Li,