کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547609 | 997638 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of temperature on the binding energy of excited states in a ridge quantum wire
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we study the influence of temperature on the binding energy of a hydrogenic donor impurity in a ridge quantum wire using a variational procedure within the effective mass approximation. We calculate the binding energy of the donor impurity in its ground state and first few excited states in a V-groove GaAs/Ga1-xAlxAsGaAs/Ga1-xAlxAs quantum wire for various impurity positions and different temperatures. We find that the temperature and impurity locations can have important effect in the binding energy of the donor impurity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 4, February 2009, Pages 543–547
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 4, February 2009, Pages 543–547
نویسندگان
R. Khordad,