کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547625 | 997638 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Extraction of electronic parameters of Schottky diode based on an organic semiconductor methyl-red
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The current–voltage (I–V) characteristics of Al/methyl-red/Ag surface-type structure were investigated in air at room temperature. The conventional forward bias I–V method, Cheung functions and modified Norde's function were used to extract the diode parameters including ideality factor, barrier height and series resistance. The parameter values obtained from these three different methods were found in good agreement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 4, February 2009, Pages 631–634
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 4, February 2009, Pages 631–634
نویسندگان
Zubair Ahmad, Muhammad H. Sayyad,