کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1552995 | 1513216 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Novel silicon-on-insulator lateral power device with step width drift region
ترجمه فارسی عنوان
دستگاه قدرت جانبی سیلیکون بر روی دیواری جدید با ریزش منطقه پهنای باند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
A novel silicon-on-insulator (SOI) lateral power device with step width drift region (SW) is proposed in this paper. The drift region of the new device is divided into several regions with different width increasing from source to drain. New additional electric field peaks are formed at the steps, which modulate the electric field and enhance the breakdown voltage. Meanwhile, the drift doping concentration is increased and thus reduces the specific on-resistance. Compared with the conventional device, a 35% increase in the breakdown voltage and a 21% decrease in the specific on-resistance are obtained in the proposed device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 85, September 2015, Pages 173-179
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 85, September 2015, Pages 173-179
نویسندگان
Jia-fei Yao, Yu-feng Guo, Jun Zhang, Hong Lin, Xiao-juan Xia,