کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1589744 | 1002006 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth and band alignment of (GdxLa1âx)2O3 films on n-GaAs (0Â 0Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Herein we demonstrate the epitaxial stabilization of single-crystalline (GdxLa1âx)2O3 films on n-GaAs (0 0 1) with a controlled lattice match. (GdxLa1âx)2O3 films have an in-plane epitaxial relationship with a twofold rotation on GaAs (0 0 1). Spectroscopic characterization by photoemission and absorption confirms that the band gap of (GdxLa1âx)2O3 film is approximately â¼5.8 eV. However, the conduction band offset is increased by the unpinned Fermi level of the n-GaAs in the (GdxLa1âx)2O3 film (x = 0.97). The correlation of the crystalline property and the interfacial band offset by the electrical properties, as probed by capacitance and leakage current measurements, is also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Micron - Volume 40, Issue 1, January 2009, Pages 114-117
Journal: Micron - Volume 40, Issue 1, January 2009, Pages 114-117
نویسندگان
Jun-Kyu Yang, Sun Gyu Choi, Hyung-Ho Park,