کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1591153 | 1515565 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical properties of potential-inserted quantum wells in the near infrared and Terahertz ranges
ترجمه فارسی عنوان
خواص نوری چاه های کوانتومی که در آن قرار گرفته اند، در محدوده مادون قرمز نزدیک و ترافرز قرار دارند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
چکیده انگلیسی
We propose an engineering of the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells using AlAs and InAs monolayer insertions. A quantitative study of the effects of the monolayer position and the well thickness on the interband and intersubband transitions, based on the extended-basis sp3d5sâ tight-binding model, is presented. The effect of insertion on the interband transitions is compared with existing experimental data. As for intersubband transitions, we show that in a GaAs/AlGaAs quantum well including two AlAs and one InAs insertions, a three level {e1,e2,e3} system where the transition energy e3âe2 is lower and the transition energy e2âe1 larger than the longitudinal optical phonon energy (36Â meV) can be engineered together with a e3âe2 transition energy widely tunable through the TeraHertz range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 236, June 2016, Pages 7-11
Journal: Solid State Communications - Volume 236, June 2016, Pages 7-11
نویسندگان
F. Raouafi, R. Samti, R. Benchamekh, R. Heyd, S. Boyer-Richard, P. Voisin, J.-M. Jancu,