کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1594550 | 1515654 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crossover from negative to positive magnetoresistance in a Si delta-doped GaAs single quantum well
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have performed magnetoresistance measurements on a Si delta-doped GaAs single quantum well. With increasing temperature TT, a crossover from negative magnetoresistance (NMR) to positive magnetoresistance (PMR) can be observed. Our experimental results suggest that such a crossover corresponds to a transition from variable range hopping regime to activated electron transport. This is also consistent with the measured non-monotonic carrier density dependence on TT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 25–26, July 2010, Pages 1104–1107
Journal: Solid State Communications - Volume 150, Issues 25–26, July 2010, Pages 1104–1107
نویسندگان
Shun-Tsung Lo, Kuang Yao Chen, Yi-Chun Su, C.-T. Liang, Y.H. Chang, Gil-Ho Kim, J.-Y. Wu, Sheng-Di Lin,