کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595476 | 1002778 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and characterization of GaN/amorphous Ga2O3 nanocables through thermal oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In an effort to obtain one-dimensional core/shell nanostructures, thermal oxidation behavior of GaN nanowires in O2 with N2 ambients was investigated by x-ray diffraction, transmission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy. Crystallinity and chemical bonding states of the oxidized surface in the GaN nanowires were strongly dependent on the oxidation temperature. Chemical oxidation reaction occurred upon increasing the temperature, accompanied by the formation of an amorphous Ga2O3 layer at the GaN nanowire surface at 900 ∘C. The XPS analyses provided further evidence supporting the change in the chemical bonding states with increasing oxidation temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 142, Issue 8, May 2007, Pages 437–440
Journal: Solid State Communications - Volume 142, Issue 8, May 2007, Pages 437–440
نویسندگان
Ji-Hyuk Choi, Moon-Ho Ham, Woong Lee, Jae-Min Myoung,