کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1611241 | 1516292 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive switching and Schottky diode-like behaviors in Pt/BiFeO3/ITO devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Pt/BiFeO3/ITO devices with nonvolatile bipolar resistive switching characteristic have been fabricated by chemical solution deposition. When applying the positive bias on Pt top electrodes, both bipolar and unipolar resistive switching can be observed after a forming process; however, when applying the negative bias, no forming and resistive switching but a rectifying diode-like effect can be found. This behavior has been analyzed by current conduction in detail, and then can be understood in terms of conductive filament mechanism with considering Schottky effect at BiFeO3/ITO interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 601, 15 July 2014, Pages 100-103
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 601, 15 July 2014, Pages 100-103
نویسندگان
J.M. Luo, S.H. Chen, S.L. Bu, J.P. Wen,