کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813401 | 1025635 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The silicon vacancy in SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The isolated silicon vacancy is one of the basic intrinsic defects in SiC. We present new experimental data as well as new calculations on the silicon vacancy defect levels and a new model that explains the optical transitions and the magnetic resonance signals observed as occurring in the singly negative charge state of the silicon vacancy in 4H and 6H SiC.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 22, 1 December 2009, Pages 4354–4358
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 22, 1 December 2009, Pages 4354–4358
نویسندگان
Erik Janzén, Adam Gali, Patrick Carlsson, Andreas Gällström, Björn Magnusson, N.T. Son,