کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970755 | 1450299 | 2017 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dual functionality of threshold and multilevel resistive switching characteristics in nanoscale HfO2-based RRAM devices for artificial neuron and synapse elements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 182, 5 October 2017, Pages 42-45
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 182, 5 October 2017, Pages 42-45
نویسندگان
Jiyong Woo, Dongwook Lee, Yunmo Koo, Hyunsang Hwang,