کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970819 1450303 2017 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evaluation of energy distribution of filled defects of Si oxide thin films from total photoelectron yield spectroscopy
ترجمه فارسی عنوان
بررسی توزیع انرژی نقص های پر شده از فیلم های نازک اکسید سی از طیف سنجی عملکرد فوتوالکتریک
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش مقاله
بررسی توزیع انرژی نقص های پر شده از فیلم های نازک اکسید سی از طیف سنجی عملکرد فوتوالکتریک
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 85-88
نویسندگان
, , , ,