کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970869 | 1450303 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Asymmetric dielectric breakdown behavior in MgO based magnetic tunnel junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 308-312
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 308-312
نویسندگان
J.H. Lim, N. Raghavan, S. Mei, K.H. Lee, S.M. Noh, J.H. Kwon, E. Quek, K.L. Pey,