دانلود رایگان مقاله ISI : تصحیح قانون مبتنی بر یکپارچه برای گوشه در نزدیکی ماسک لیتوگرافی با استفاده از ویژگی های با وضوح بالا

Unified rule based correction for corners in proximity lithography mask using high resolution features

Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 172, 25 March 2017, Pages 35-44

Krishnaparvathy Puthankovilakam, Toralf Scharf, Hans Peter Herzig, Uwe Vogler, Reinhard Voelkel,