کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5005882 | 1461377 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ionization and diffusion of metal atoms under electric field at metal/insulator interfaces; First-principles study
ترجمه فارسی عنوان
یونیزاسیون و انتشار اتمهای فلزی در میدان الکتریکی در رابطهای فلزی / مقره؛ مطالعه اول
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
یونیزاسیون، نفوذ، رابط فلزی / عایق، میدان الکتریکی، اولین محاسبه اصول، حالت های شکاف ناشی از فلز،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
The ionization and diffusion of metal atoms at metal/SiO2 interfaces under an electric field are studied by first-principles calculation. It is shown that the ionization of metal atoms occurs when the hybridization of metal-atom electronic states with metal-induced gap states (MIGS) is broken. Moreover, we show that an electric field markedly decreases the penetration barrier of metal atoms from a metal electrode into SiO2 and enhances the diffusion of metal atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 70, 1 November 2017, Pages 78-82
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 70, 1 November 2017, Pages 78-82
نویسندگان
Yoshihiro Asayama, Masaaki Hiyama, Takashi Nakayama,