کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006122 | 1461384 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystalline damage in silicon wafers and 'rare event' failure introduced by low-energy mechanical impact
ترجمه فارسی عنوان
آسیب کریستالی در وفل سیلیکون و شکست نادر "ناشی از تاثیر مکانیکی کم انرژی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ویفر کریستال نازک، در حال پردازش، خسارت بلورین، پراش اشعه ایکس، رویداد نادر، شکستگی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We used X-ray diffraction imaging to detect and characterize mechanical damage introduced to 300Â mm silicon wafers by low impact energy exerted on the wafer edge. Maps of crystalline damage show a correlation between the damage size, the magnitude of the impact energy and the location of the impact point. We demonstrate the existence of crystalline non-visual defects; crystalline defects that appear in the X-Ray diffraction images but not in optical microscopy or scanning electron microscope. We propose a mechanism of crystalline damage formation at low impact energies based on finite element analysis and high-resolution synchrotron white beam transmission X-ray topography. Finally, we propose the concept of 'rare-event' to described relatively low rate of occurrence of wafer failure by fracture within semiconductor manufacturing facilities.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 63, 1 June 2017, Pages 40-44
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 63, 1 June 2017, Pages 40-44
نویسندگان
F. Atrash, I. Meshi, A. Krokhmal, P. Ryan, M. Wormington, D. Sherman,