کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006230 | 1461390 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of transparent conductive nanocrystalline oxide thin layer on performance of UV detectors fabricated on Fe-doped GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Two kinds of metal-semiconductor-metal (MSM) Schottky UV detectors with and without an insertion layer of transparent conductive nanocrystalline oxide were fabricated on Fe-doped semi-insulating GaN epilayers. It is found that the optical responsivity of the detectors can be significantly improved by two orders of magnitude by inserting a thin layer of Ga-doped nanocrystalline ZnO (GZO) between metal electrode and Fe-doped GaN. Such improvement is suggested to be associated with the valence-band discontinuities and efficient suppression recombination of traps induced by Fe impurities in GaN due to the insertion of a thin layer of GZO.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 57, January 2017, Pages 132-136
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 57, January 2017, Pages 132-136
نویسندگان
Z. Xing, R.X. Wang, Y.M. Fan, J.F. Wang, B.S. Zhang, K. Xu,