کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349248 | 1388098 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ambipolar organic transistors with high on/off ratio by introducing a modified layer of gate insulator
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستورهای آلی بیرونی با نسبت بالا / خاموش با معرفی یک لایه اصلاح شده از گیتار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
بار حمل بار متقابل اگزاتیتانیم فتالوسیانین، لایه اصلاح شده
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Oxotitanium phthalocyanine (TiOPc)-based organic thin-film transistors (OTFTs) were fabricated by introducing para-sexiphenyl (p-6P) thin-film as the modified layer of gate insulator. The typical ambipolar transport behavior may be observed in ambient, which exhibited a balanced charge transport with a hole mobility of 8Â ÃÂ 10â2 and an electron mobility of 3Â ÃÂ 10â2Â cm2/V.s. More importantly, the on/off ratio for both n- and p-type accumulation-mode has reached 104 and simultaneously exhibited good air-stability. Furthermore, capacitance-voltage characteristics were presented in order to further clarify the operation procedures of two kinds of charge-carriers. The excellent ambipolar transport behavior is attributed to the surface modification properties of p-6P for better electron transport and highly ordered thin-film morphology of TiOPc. These results demonstrate that the surface characteristics of insulator play a crucial role in realizing ambipolar devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 427, Part B, 1 January 2018, Pages 452-457
Journal: Applied Surface Science - Volume 427, Part B, 1 January 2018, Pages 452-457
نویسندگان
Yu Zhang, Xicheng Wei, Hao Zhang, Xiong Chen, Jun Wang,