کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5350169 | 1388113 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of annealing ambient on SnO2 thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 418, Part A, 1 October 2017, Pages 414-417
Journal: Applied Surface Science - Volume 418, Part A, 1 October 2017, Pages 414-417
نویسندگان
Priyadarshini D.M., Ramanjaneyulu Mannam, M.S. Ramachandra Rao, Nandita DasGupta,