Kinetic Monte Carlo study on the evolution of silicon surface roughness under hydrogen thermal treatment

تکامل یک سطح سیلیکون دو بعدی تحت حرارتی حرارتی هیدروژن با استفاده از شبیه سازی های مین کارلو سینتیک، با تمرکز بر وابستگی رفتار مهاجرت اتم های سطحی در هر دو دما و فشار هیدروژن مورد مطالعه قرار گرفته است. ما انرژی های مختلف فعال سازی را برای تجزیه و تحلیل اثر فشار هیدروژن بر تکامل مورفولوژی سطح در دماهای بالا اتخاذ می کنیم. کاهش زبری سطح به دو مرحله تقسیم می شود، هر دو به لحاظ وابستگی نمایشی به زمان تعادل نشان می دهند. نتایج ما نشان می دهد که فشار هیدروژن بالا برای به دست آوردن سطوح بهینه شده به عنوان یک استراتژی در استفاده از دستگاه های سه بعدی منجر می شود.