کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351134 | 1503649 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bipolar resistive switching properties of AlN films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition
ترجمه فارسی عنوان
خواص سوئیچینگ مقاومت دوقطبی فیلمهای آلومینیوم پوشیده شده توسط رسوب لایه اتمی لایه بردار پلاسما
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
AlN thin films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) have been used to investigate the resistive switching (RS) behavior. The bipolar RS properties were observed in the Cu/PEALD-AlN/Pt devices, which are induced upon the formation/disruption of Cu conducting filaments, as confirmed by the temperature dependent resistances relationships at different resistance states. The resistance ratio of the high and low resistance states (HRS/LRS) is 102-105. The dominant conduction mechanisms at HRS and LRS are trap-controlled space charge limited current and Ohmic behavior, respectively. This study demonstrated that the PEALD-AlN films have a great potential for the applications in high-density resistance random access memory.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 315, 1 October 2014, Pages 110-115
Journal: Applied Surface Science - Volume 315, 1 October 2014, Pages 110-115
نویسندگان
Jian Zhang, Qilong Zhang, Hui Yang, Huayu Wu, Juehui Zhou, Liang Hu,