کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5354886 1503597 2016 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ observation of low temperature growth of Ge on Si(1 1 1) by reflection high energy electron diffraction
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
In situ observation of low temperature growth of Ge on Si(1 1 1) by reflection high energy electron diffraction
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 370, 1 May 2016, Pages 40-48
نویسندگان
, , , ,