کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355969 | 1388198 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvement of oxidation resistance of copper by atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Deposition of Al2O3 films on pure copper by an atomic layer deposition (ALD) technique. ⺠Analysis of properties of the films coated at various substrate temperatures using the ALD technique. ⺠Identification of the improvement of oxidation resistance of pure copper by the ALD-Al2O3 films. ⺠Assessment of the durability of the ALD-Al2O3 films by adhesion strength.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 10128-10134
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 24, 1 October 2012, Pages 10128-10134
نویسندگان
M.L. Chang, T.C. Cheng, M.C. Lin, H.C. Lin, M.J. Chen,