کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358557 | 1503628 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Emitter formation using laser doping technique on n- and p-type c-Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The high electrical quality of the junctions makes laser doping, using dielectric layers as dopant source, suitable for solar cell applications. Particularly, a potential open circuit voltage of 0.64Â V (1 sun) is expected for a finished solar cell.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 336, 1 May 2015, Pages 182-187
Journal: Applied Surface Science - Volume 336, 1 May 2015, Pages 182-187
نویسندگان
G. López, P. Ortega, M. Colina, C. Voz, I. MartÃn, A. Morales-Vilches, A. Orpella, R. Alcubilla,