کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366626 | 1388352 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation and characterization of pulsed laser deposition (PLD) SiC films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Si K-edge XAFS was used to characterize a stoichiometric SiC film prepared by pulsed KrF laser deposition. The film was deposited on a p-type Si(1 0 0) wafer at a substrate temperature of 250 °C in high vacuum with a laser fluence of â¼5 J/cm2. The results reveal that the film contains mainly a SiC phase with an amorphous structure in which the Si atoms are bonded to C atoms in its first shell similar to that of crystalline SiC powder but with significant disorder.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 10, 15 March 2006, Pages 3386-3389
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 10, 15 March 2006, Pages 3386-3389
نویسندگان
Y.H. Tang, T.-K. Sham, D. Yang, L. Xue,