کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366660 | 1388352 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Kinetics of residual gas adsorption on Ge(1Â 1Â 1) surface in low-energy electron backscattering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low-energy (0.4-1.2 eV) electron backscattering is applied for the investigation of kinetics of residual gas adsorption effect on the concentration and energy positions of surface electron states of Ge(1 1 1) surface. Chemosorption of residual gas molecules on Ge(1 1 1) at P â¼Â 10â7 Pa and room temperature is shown to be most active during the first 48 h. Low concentration of dangling valence bonds on the reconstructed Ge(1 1 1) (2 Ã 8) surface is shown to determine its low activity to chemosorption.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 10, 15 March 2006, Pages 3625-3631
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 10, 15 March 2006, Pages 3625-3631
نویسندگان
O.B. Shpenik, T.Yu. Popik, V.M. Feyer, Yu.V. Popik,