کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366686 | 1388352 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wear-out of Al-Ta2O5/SiO2-Si structures under dynamic stress
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Wear-out of Al-Ta2O5/SiO2-Si stacked layers under dynamic current stresses was studied. It was found that a detrapping of negative charges occurs between the pulses, similarly to SiO2 and SiOxNy films. Additional consumption of the SiO2 interfacial layer results in a decrease of the gate voltage in some stages of the stress, depending upon the stress time and current density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 10, 15 March 2006, Pages 3833-3836
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 10, 15 March 2006, Pages 3833-3836
نویسندگان
N. Novkovski, E. Atanassova,