کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367767 | 1388372 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The switch of the worst case on NBTI and hot-carrier reliability for 0.13 μm pMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This investigation describes experiments on two sizes of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (pMOSFETs), to study the negative bias temperature instability (NBTI) and hot-carrier (HC) induced degradation. This work demonstrates that the worst condition for pMOSFETs under HC tests occurs in CHC (channel HC, stressed at Vg = Vd) mode at high temperature. This study also shows that the worst degradation of pMOSFETs should occur in NBTI. This inference is based on a comparison of results for forward saturation current (Ids,f) and reverse saturation current (Ids,r) obtained in NBTI and HC tests.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 19, 30 July 2008, Pages 6186-6189
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 19, 30 July 2008, Pages 6186-6189
نویسندگان
Chia-Hao Tu, Shuang-Yuan Chen, Meng-Hong Lin, Mu-Chun Wang, Ssu-Han Wu, Sam chou, Joe Ko, Heng-Sheng Huang,