کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5403636 | 1392763 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
EPR and photoacoustic studies on 30Â kev H+ ion-implanted n-GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electron paramagnetic resonance (EPR) measurements are carried out on the 30Â keV H+ion-implanted, Si-doped GaAs(1Â 0Â 0) for various doses from 1014 to 1017Â cmâ2. The results are correlated with photoacoustic and photoluminescence measurements. All the measurements confirm the sign change of charge carrier at a dose of 1015Â cmâ2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 124, Issue 1, May 2007, Pages 28-32
Journal: Journal of Luminescence - Volume 124, Issue 1, May 2007, Pages 28-32
نویسندگان
R. Srinivasan, K. Ramachandran,